发明名称 | 功率放大器 | ||
摘要 | 本发明得到一种能够改善中低输出的失真特性的功率放大器。放大元件(Tr1)具有:被输入输入信号的基极、被施加集电极电压的集电极、以及发射极。偏置电路(Bias1)向放大元件(Tr1)的基极供给偏置电流。偏置电路(Bias1)具有晶体管(Trb1)和电容调整电路(1)。向(Trb1)的基极输入基准电压,向(Trb1)的集电极输入电源电压,(Trb1)的发射极连接于放大元件(Tr1)的基极。电容调整电路(1)当放大元件(Tr1)的集电极电压变低时使(Trb1)的基极和集电极的至少一方与接地点之间的电容值增加。 | ||
申请公布号 | CN103248325B | 申请公布日期 | 2016.08.31 |
申请号 | CN201310050094.9 | 申请日期 | 2013.02.08 |
申请人 | 三菱电机株式会社 | 发明人 | 冈村笃司;松塚隆之 |
分类号 | H03F1/30(2006.01)I | 主分类号 | H03F1/30(2006.01)I |
代理机构 | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人 | 何立波;张天舒 |
主权项 | 一种功率放大器,其特征在于,具备:放大元件,具有被输入输入信号的基极、被施加集电极电压的集电极、发射极;以及偏置电路,向所述放大元件的所述基极供给偏置电流,所述偏置电路具有:第一晶体管,具有被输入基准电压的第一控制端子、被输入电源电压的第一端子、与所述放大元件的所述基极连接的第二端子;以及电容调整电路,当所述放大元件的所述集电极电压变低时,使所述第一晶体管的所述第一控制端子和所述第一端子的至少一方与接地点之间的电容值增加,所述电容调整电路具有:第二晶体管,具有第二控制端子、与所述第一晶体管的所述第一控制端子或所述第一端子连接的第三端子、以及第四端子;电容,连接在所述第四端子与接地点之间;以及控制电路,向所述第二晶体管的所述第二控制端子供给控制电压,所述控制电路在所述放大元件的所述集电极电压低于规定的阈值的情况下使所述第二晶体管导通。 | ||
地址 | 日本东京都 |