发明名称 |
一种基于多电压基准的校准装置及方法 |
摘要 |
本发明公开了一种基于多电压基准的校准装置及方法,装置包括:基准产生电路,用于产生若干个电压基准;测量单元,用于测量第一电压基准;控制电路,用于通过数字编码调整所述基准产生电路产生的若干个电压基准;优化单元,通过所述控制电路调整第一电压基准,及根据测量单元所获得的第一电压基准和目标值,选择第一最佳数字编码;非易失性存储单元,用于存储第一最佳数字编码;自动校准电路,用于根据校准后的第一电压基准自动校准基准产生电路所产生的其他待校准电压基准。本发明采用少量的非易失性存储单元完成多电压基准的校准,降低非易失性存储单元的面积,增强可靠性,并降低芯片自动测试时间。 |
申请公布号 |
CN105159379B |
申请公布日期 |
2016.08.31 |
申请号 |
CN201510492327.X |
申请日期 |
2015.08.12 |
申请人 |
金学成 |
发明人 |
金学成;林建辉 |
分类号 |
G05F1/56(2006.01)I |
主分类号 |
G05F1/56(2006.01)I |
代理机构 |
南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 |
代理人 |
任立 |
主权项 |
一种基于多电压基准的校准装置,其特征在于,包括:基准产生电路,用于产生若干个电压基准;测量单元,用于将基准产生电路所产生的任意一个电压基准作为第一电压基准进行测量;控制电路,用于通过数字编码调整所述基准产生电路产生的若干个电压基准;优化单元,通过所述控制电路调整第一电压基准,及根据测量单元所获得的第一电压基准和第一电压基准的目标值,选择第一最佳数字编码并将第一最佳数字编码写入非易失性存储单元;非易失性存储单元,用于存储所述第一最佳数字编码;自动校准电路,用于根据校准后的第一电压基准自动校准基准产生电路所产生的其他待校准电压基准。 |
地址 |
100020 北京市朝阳区八里庄北里1号院3楼1门102号 |