| 发明名称 | 介电组合物、介电元件、电子部件和层叠电子部件 | ||
| 摘要 | 所解决的问题在于提供一种介电组合物，所述介电组合物具有当施加至少8V/μm的DC偏置时为900或更大的相对高的介电常数，并且还在于提供采用所述介电组合物的介电元件、电子部件和层叠电子部件。一种介电组合物，其中所述主要组分的成分符合下式(1)：(Bi<sub>a</sub>Na<sub>b</sub>Sr<sub>c</sub>)(Zn<sub>d</sub>Ti<sub>1‑d</sub>)O<sub>3</sub>(1)[其中a、b、c和d满足以下：0.09≤a≤0.58、0.09≤b≤0.42、0.05≤c≤0.84、0<d≤0.08并且0.95≤a+b+c≤1.05]。 | ||
| 申请公布号 | CN105916829A | 申请公布日期 | 2016.08.31 |
| 申请号 | CN201580005075.1 | 申请日期 | 2015.01.21 |
| 申请人 | 爱普科斯公司 | 发明人 | 井村智也;田内古史;广濑政和 |
| 分类号 | C04B35/462(2006.01)I;C04B35/47(2006.01)I;C04B35/475(2006.01)I;H01G4/12(2006.01)I;H01L41/187(2006.01)I | 主分类号 | C04B35/462(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 蔡胜有;苏虹 |
| 主权项 | 一种介电组合物，其中所述主要组分的成分符合下式(1)：(Bi<sub>a</sub>Na<sub>b</sub>Sr<sub>c</sub>)(Zn<sub>d</sub>Ti<sub>1‑d</sub>)O<sub>3</sub> (1)其特征在于，a、b、c和d满足以下：0.09≤a≤0.58、0.09≤b≤0.42、0.05≤c≤0.84、0<d≤0.08并且0.95≤a+b+c≤1.05。 | ||
| 地址 | 德国慕尼黑 | ||