| 发明名称 | PERC晶体硅太阳能电池的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及晶体硅太阳能电池的制造技术，具体是一种PERC晶体硅太阳能电池的制造方法。其制造过程经过制绒、扩散、刻蚀、镀Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>、退火及镀背面SiNx、镀正面SiNx、激光开槽或开孔、丝网印刷、烧结、测试各步骤；所述退火及镀背面SiNx在镀膜设备中同步完成，其具体步骤是：镀Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>后的半成品先在镀膜设备中加热至450－550℃，加热时间600－1200s；再通入反应气体镀SiNx膜，镀膜温度450－550℃，镀膜时间1000－2000s。本发明能够简化制造工艺、减少生产时间、降低生产成本、改善电池性能。 | ||
| 申请公布号 | CN105914256A | 申请公布日期 | 2016.08.31 |
| 申请号 | CN201610244347.X | 申请日期 | 2016.04.19 |
| 申请人 | 晋能清洁能源科技有限公司 | 发明人 | 白焱辉;李高非;王继磊;付少剑;黄金;张娟 |
| 分类号 | H01L31/18(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/18(2006.01)I |
| 代理机构 | 镇江京科专利商标代理有限公司 32107 | 代理人 | 夏哲华 |
| 主权项 | 一种PERC晶体硅太阳能电池的制造方法，其制造过程经过制绒、扩散、刻蚀、镀Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>、退火及镀背面SiNx 、镀正面SiNx、激光开槽或开孔、丝网印刷、烧结、测试各步骤；其特征是：所述退火及镀背面SiNx在镀膜设备中同步完成，其具体步骤是：镀Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>后的半成品先在镀膜设备中加热至450－550℃，加热时间600－1200s；再通入反应气体镀SiNx膜，镀膜温度450－550℃，镀膜时间1000－2000s。 | ||
| 地址 | 033000 山西省吕梁市文水县经济开发区 | ||