一种共蒸设备

摘要

本发明公开了一种共蒸设备，其具有一共蒸腔体，共蒸腔体包括腔体底部、和腔体底部对应的腔体顶部、连接腔体底部和腔体顶部的腔体侧壁；腔体顶部设置旋转装置，以带动待镀膜基片旋转；腔体底部设置蒸发电极，以加热蒸发镀膜材料在待镀膜基片上形成镀膜；腔体侧壁设置晶控探头和晶控挡板。晶控挡板阻挡在晶控探头和蒸发电极之间，晶控挡板设置有多个通孔；在蒸发电极加热蒸发镀膜材料对待镀膜基片进行镀膜的同时，使镀膜材料以气相状态穿过通孔沉积在晶控探头上形成镀膜，进而避免晶控探头镀膜过厚而降低灵敏度，能够保证晶控探头测量镀膜厚度的准确性，进而保证其确定待镀膜基片的镀膜厚度的准确性。

主权项

一种共蒸设备，其特征在于，包括：共蒸腔体，包括腔体底部、和所述腔体底部对应的腔体顶部、连接所述腔体底部和所述腔体顶部的腔体侧壁；旋转装置，设置在所述腔体顶部，用于安装待镀膜基片；所述旋转装置的旋转可带动所述待镀膜基片旋转；蒸发电极，设置在所述腔体底部，用于加热蒸发镀膜材料，使所述镀膜材料以气相状态沉积在所述待镀膜基片上形成镀膜；晶控探头，设置在所述腔体侧壁上，用于在所述蒸发电极加热所述蒸发镀膜材料对所述待镀膜基片进行镀膜的同时，探测所述晶控探头上的镀膜厚度；晶控挡板，设置在所述腔体侧壁上，并且所述晶控挡板位于所述晶控探头和所述蒸发电极之间；所述晶控挡板设置有多个通孔；在所述蒸发电极加热所述蒸发镀膜材料对所述待镀膜基片进行镀膜的同时，使所述镀膜材料以气相状态穿过所述通孔沉积在所述晶控探头上形成镀膜。