| 发明名称 | 鳍式双极结型晶体管及其形成方法 | ||
| 摘要 | 一种鳍式双极结型晶体管及其形成方法，所述鳍式双极结型晶体管包括：基底；位于基底上掺杂有杂质的鳍部，所述鳍部为第一区；位于所述第一区上基区；位于所述基区上或基区内的第二区，所述第一区为发射区、第二区为集电区或者第一区为集电区、第二区为发射区。本鳍式双极结型晶体管，基区与发射区之间形成的PN结具有较大的面积，该PN结面积可调，且可调范围很大。 | ||
| 申请公布号 | CN104124153B | 申请公布日期 | 2016.08.31 |
| 申请号 | CN201310156947.7 | 申请日期 | 2013.04.28 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 陶佳佳;三重野文健;李勇;张帅;黄新运;居建华 |
| 分类号 | H01L21/331(2006.01)I;H01L29/73(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/331(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种鳍式双极结型晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供基底；在所述基底上形成掺杂有杂质的鳍部，作为第一区；在所述第一区上形成基区；在所述基区上或基区内形成第二区，所述第一区为集电区、第二区为发射区或者所述第一区为发射区、第二区为集电区。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||