| 发明名称 | 石墨烯电子器件 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种石墨烯电子器件。该石墨烯电子器件包括：栅电极；设置在栅电极上的栅氧化物；形成在栅氧化物上的石墨烯沟道层；以及分别设置在石墨烯沟道层的两端上的源电极和漏电极。在石墨烯沟道层中，多个纳米孔沿石墨烯沟道层的宽度方向布置成单一行。 | ||
| 申请公布号 | CN102479804B | 申请公布日期 | 2016.08.31 |
| 申请号 | CN201110389294.8 | 申请日期 | 2011.11.30 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 许镇盛;徐顺爱;李晟熏;郑现钟;梁喜准 |
| 分类号 | H01L29/10(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/10(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 张波 |
| 主权项 | 一种石墨烯电子器件，包括：栅电极；在所述栅电极上的栅绝缘层；在所述栅绝缘层上的石墨烯沟道层，所述石墨烯沟道层包括多个纳米孔；以及在所述石墨烯沟道层上的源电极和漏电极，其中所述多个纳米孔布置成单一行。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||