| 发明名称 | 一种阵列基板及其制造方法、显示装置 | ||
| 摘要 | 本发明实施例提供一种阵列基板及其制造方法、显示装置，涉及显示技术领域。包括依次形成在透明基板表面的TFT的栅极以及栅绝缘层，在所述栅绝缘层对应所述TFT的栅极区域的表面依次形成有半导体有源层的图案、刻蚀阻挡层的图案以及所述TFT的源极和漏极，所述TFT的源极和漏极分别通过过孔与所述半导体有源层的图案相接触；以及形成在所述TFT的栅极和所述栅绝缘层之间的第一绝缘层的图案，所述第一绝缘层的图案对应所述TFT的源极区域和/或所述TFT的漏极区域；在对应所述TFT的沟道区域，所述栅极与所述栅绝缘层接触。这样一种阵列基板可以降低TFT的源、漏电极与栅极之间的寄生电容，提高显示装置的质量。 | ||
| 申请公布号 | CN103730475B | 申请公布日期 | 2016.08.31 |
| 申请号 | CN201310739761.4 | 申请日期 | 2013.12.26 |
| 申请人 | 京东方科技集团股份有限公司 | 发明人 | 金熙哲;宋泳锡;刘圣烈;崔承镇 |
| 分类号 | H01L27/12(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I;H01L21/84(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/12(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人 | 申健 |
| 主权项 | 一种薄膜晶体管液晶显示器的阵列基板，包括：依次形成在透明基板表面的TFT的栅极以及栅绝缘层，在所述栅绝缘层对应所述TFT的栅极区域的表面依次形成有半导体有源层的图案、刻蚀阻挡层的图案以及所述TFT的源极和漏极，所述TFT的源极和漏极分别通过过孔与所述半导体有源层的图案相接触；其特征在于，还包括：形成在所述TFT的栅极和所述栅绝缘层之间的第一绝缘层的图案，所述第一绝缘层的图案对应所述TFT的源极区域和/或所述TFT的漏极区域；在对应所述TFT的沟道区域，所述栅极与所述栅绝缘层接触。 | ||
| 地址 | 100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号 | ||