发明名称 |
一种场发射用金属基铷铯掺杂石墨烯冷阴极的制备方法 |
摘要 |
一种场发射用金属基底铷铯掺杂石墨烯冷阴极的制备方法,属于纳米材料场发射电子材料领域。本发明旨在设计一种新型场致发射用冷阴极组份即铷铯掺杂石墨烯,并建立一种快速、可控、均匀和大面积制备致密冷阴极材料的新方法。其特征在于:以金属为基底,利用真空等离子喷涂技术,以铷铯掺杂石墨烯粉末为原材料,大面积喷涂制备致密均匀和较厚的金属基铷铯掺杂石墨烯涂层材料,继而利用该涂层作为冷阴极研究其场发射性能。本发明具备系统结构简单、成本低廉、加工速度快和调控能力强等优点,适于制备大面积的石墨烯涂层材料,并在成份上有所创新,具有重大的商业价值和现实意义。 |
申请公布号 |
CN104018112B |
申请公布日期 |
2016.08.31 |
申请号 |
CN201410247705.3 |
申请日期 |
2014.06.05 |
申请人 |
北京科技大学 |
发明人 |
张跃;丁一;廖庆亮;闫小琴;白鹤;王钦玉;章龙 |
分类号 |
C23C4/134(2016.01)I;C23C4/137(2016.01)I;C23C4/04(2006.01)I |
主分类号 |
C23C4/134(2016.01)I |
代理机构 |
北京金智普华知识产权代理有限公司 11401 |
代理人 |
皋吉甫 |
主权项 |
一种场发射用金属基铷铯掺杂石墨烯冷阴极的制备方法,其特征在于,以金属为基底,利用真空等离子喷涂技术,以铷铯掺杂石墨烯粉末为原材料,大面积喷涂制备致密均匀和厚度为20~200µm的铷铯掺杂石墨烯涂层,继而利用所述金属基铷铯掺杂石墨烯冷阴极研究其场发射性能,具体制备步骤如下:(1)配制用于真空等离子喷涂的铷铯掺杂石墨烯粉末材料,其中机械混合铷粉、铯粉和石墨烯粉末;(2)预处理金属基底;(3)利用真空等离子喷涂,在金属基底上喷涂NiCo合金材料粘结打底层;(4)利用真空等离子喷涂,在所述粘结打底层上制备铷铯掺杂石墨烯涂层。 |
地址 |
100083 北京市海淀区学院路30号 |