衬底电阻器及其制造方法

摘要

一种半导体结构可以包括位于衬底上的与诸如晶体管的其他器件同时形成的电阻器。图案化在衬底上形成的扩散阻挡层以形成电阻器和位于晶体管栅极下方的阻挡层。以与晶体管的栅极相同的方式和同时在电阻器上形成填充材料、第一连接件和第二连接件。去除填充材料以形成位于衬底上的电阻器。本发明还提供了衬底电阻器及其制造方法。

主权项

一种形成半导体结构的方法，所述方法包括：在衬底上方形成电阻器；在所述电阻器和所述衬底上方沉积填充材料；图案化位于所述电阻器的中间区域上方的所述填充材料；在所述电阻器上方形成第一连接件和第二连接件，所述第一连接件和所述第二连接件位于所述填充材料的相对两侧；以及去除设置在所述第一连接件和所述第二连接件之间的所述填充材料。