硅基氮化镓LED外延结构的制造方法

摘要

本发明提供一种硅基氮化镓LED外延结构的制造方法，所述制造方法包括：S1、以N₂和Al为原料在硅衬底上制备AlN薄膜，利用磁控溅射产生的等离子体将氩原子离化为氩离子，轰击铝靶材将铝原子溅射出，铝原子向硅衬底迁移并与氮原子结合形成非晶的AlN薄膜；S2、升温对AlN薄膜在MOCVD腔体中进行热退火，热退火气氛为氮气、氢气、氨气的混合气体，使得非晶的AlN薄膜形成AlN纳米晶核结构的AlN缓冲层；S3、在AlN缓冲层上外延生长插入层；S4、在插入层上外延生长n型GaN层、量子阱发光层、及p型GaN层。本发明提升了磁控溅射沉积的AlN薄膜的质量，降低了因磊晶膜晶格不匹配所形成的应力与缺陷密度。

主权项

一种硅基氮化镓LED外延结构的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：S1、以N₂和Al为原料在硅衬底上制备AlN薄膜，利用磁控溅射产生的等离子体将氩原子离化为氩离子，轰击铝靶材将铝原子溅射出，铝原子向硅衬底迁移并与氮原子结合形成非晶的AlN薄膜；S2、升温对AlN薄膜在MOCVD腔体中进行热退火，热退火气氛为氮气、氢气、氨气的混合气体，使得非晶的AlN薄膜形成AlN纳米晶核结构的AlN缓冲层；S3、在AlN缓冲层上外延生长插入层；S4、在插入层上外延生长n型GaN层、量子阱发光层、及p型GaN层。