减小损耗的IGBT驱动电路

摘要

一种减小损耗的IGBT驱动电路，该电路可有效抑制器件关断过程的过电压，提高开关电源整机效率。本实用新型的在所述信号输入端与IGBT输出端之间还设有一个可降低IGBT关断过电压的驱动电路，该驱动电路由五个MOS管、二个稳压管、一个导流二极管和若干个电阻构成。与现有技术相比，本实用新型驱动电路在IGBT的信号输入端与IGBT输出端之间设置一个由五个MOS管、二个稳压管、一个导流二极管和若干个电阻构成的可降低IGBT关断过电压的驱动电路，使得其能有效抑制IGBT器件关断过程中的过电压，提高开关电源整机效率。

主权项

一种减小损耗的IGBT驱动电路，包括IGBT控制极信号输入端和IGBT输出端，其特征在于：在所述信号输入端与IGBT输出端之间还设有一个可降低IGBT关断过电压的驱动电路，该驱动电路由五个MOS管、二个稳压管、一个导流二极管和若干个电阻构成，其中，导流二极管与第一电阻并联，导流二极管的正极端接于所述的信号输入端，其负极端连接于第一MOS管、第二MOS管和第五MOS管的栅极；第一MOS管的漏极与第二MOS管的漏极相连并接于第三MOS管和第四MOS管的栅极，第一MOS管的源极接于直流供电端，第二MOS管的源极接于地端；第三MOS管的漏极通过第二电阻连接于IGBT的门极和第五MOS管的源极，第四MOS管的漏极通过第三电阻连接于IGBT的门极和第五MOS管的源极，第三MOS管的源极接于直流供电端，第四MOS管的源极接于地端；第五MOS管的漏极通过第四电阻接地；在IGBT的发射极与集电极之间跨接有第一稳压管与第一电容的串接电路；第一MOS管、第三MOS管和第五MOS管均为PMOS管，第二MOS管和第四MOS管为NMOS管。