| 发明名称 | 碳化硅沟槽晶体管以及用于制造碳化硅沟槽晶体管的方法 | ||
| 摘要 | 本发明描述了一种碳化硅沟槽晶体管(1)，其具有第一连接端(2)、竖直地在栅极沟槽(3)与第二连接端(5)之间布置的外延层(4)，其中，在该外延层(4)中设置有水平延伸的补偿层(6)，该补偿层(6)具有与该外延层(4)的掺杂类型相反的有效掺杂。还提出一种用于制造碳化硅沟槽晶体管(1)的方法，其中，将外延层(4)设置在所述碳化硅沟槽晶体管(1)的第二连接端(5)上；将水平延伸的补偿层(6)植入到所述外延层(4)中，该补偿层(6)具有与所述外延层(4)的掺杂类型相反的有效掺杂；将第一连接端(2)和栅极沟槽(3)设置在所述补偿层(6)上方。 | ||
| 申请公布号 | CN105917470A | 申请公布日期 | 2016.08.31 |
| 申请号 | CN201480073301.5 | 申请日期 | 2014.11.21 |
| 申请人 | 罗伯特·博世有限公司 | 发明人 | 渠宁;T·雅克;M·格里布;M·兰巴赫 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/739(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L29/66(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人 | 郭毅 |
| 主权项 | 一种碳化硅沟槽晶体管，其具有第一连接端(2；12)、竖直地在栅极沟槽(3；13)与第二连接端(5；15)之间布置的外延层(4；14)，其特征在于，在该外延层(4；14)中设置有水平延伸的补偿层(6；16)，该补偿层(6；16)具有与该外延层(4；14)的掺杂类型相反的有效掺杂。 | ||
| 地址 | 德国斯图加特 | ||