| 发明名称 | 一种SOI半导体氧化物晶体管及其制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种SOI半导体氧化物晶体管及其制作方法。该制作方法，包括：A）提供半导体衬底，所述半导体衬底包括埋氧化层和位于所述埋氧化层上的硅层；B）在所述半导体衬底上形成栅极，且在所述栅极两侧的所述硅层中形成浅掺杂区；C）在所述栅极两侧的所述半导体衬底上形成L形间隙壁；以及D）在所述栅极两侧形成覆盖部分所述L形间隙壁抬升的源极和漏极。本发明的方法通过栅极两侧形成L形间隙壁来阻挡金属向浅掺杂区和栅极区域扩散，以避免较高的结泄露以及桥连现象的出现，进而保证该SOI半导体氧化物晶体管的稳定性。 | ||
| 申请公布号 | CN103779214B | 申请公布日期 | 2016.08.31 |
| 申请号 | CN201210398041.1 | 申请日期 | 2012.10.18 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 刘金华 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人 | 高伟;付伟佳 |
| 主权项 | 一种SOI半导体氧化物晶体管的制作方法，包括：A)提供半导体衬底，所述半导体衬底包括埋氧化层和位于所述埋氧化层上的硅层；B)在所述半导体衬底上形成栅极，且在所述栅极两侧的所述硅层中形成浅掺杂区；C)在所述栅极两侧的所述半导体衬底上形成L形间隙壁；以及D)在所述栅极两侧形成覆盖部分所述L形间隙壁抬升的源极和漏极。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||