半导体聚合物的高级流反应器合成

摘要

用于通过使用微反应器系统诸如本文所述微流连续流反应器形成高度共轭半导体聚合物的合成方法。合成的化合物包括掺入稠合噻吩的共轭体系，以及更具体地稠合噻吩基二酮基吡咯并吡咯聚合物，它们可用作有机半导体并且在现代电子装置中有所应用。

主权项

一种工艺，所述工艺包括通过以下方式制备下式(I)或式(II)的化合物：使下式(Ia)或(IIa)的化合物：与具有下式的化合物反应：(R₅)₃Sn‑A‑Sn(R₅)₃或者使下式(Ib)或(IIb)的化合物：与具有下式的化合物反应：Z‑A‑Z其中所述工艺在具有金属催化剂的微反应器中完成，并且其中每个T独立地为S、SO、SO₂、Se、Te、BR₃、PR₃、NR₃、CR₃R₄或SiR₃R₄；每个R₃和R₄独立地为氢、取代或未取代的烷基、烷氧基、烷基硫代、酰氨基、酰氧基、芳氧基、取代或未取代的氨基、羧基烷基、卤素、酰基、取代或未取代的硫代、芳烷基、氨基、酯、醛、羟基、硫代烷基、卤化酰基、丙烯酸酯、羧基或乙烯醚、取代或未取代的烯基；每个R₁和R₂独立地为取代或未取代的烷基、取代或未取代的烯基、取代或未取代的环烷基、取代或未取代的环烯基、取代或未取代的炔基、取代或未取代的芳基、烷氧基、烷基硫代、酰氨基、酰氧基、芳氧基、取代或未取代的氨基、羧基烷基、卤素、酰基、取代或未取代的硫代、芳烷基、氨基、酯、醛、羟基、硫代烷基、卤化酰基、丙烯酸酯、羧基或乙烯醚；每个R₅独立地为取代或未取代的烷基；每个Z独立地为Cl、Br或I；n为1或更大的整数；x、m和o独立地为1或更大的整数，并且每个A独立地为共轭基团。