半导体模板及其制造方法

摘要

本发明提供一半导体模板，其包含：一基板、一缓冲层及一磊晶层。缓冲层位于基板的一表面，且缓冲层包括一第一次缓冲层及一第二次缓冲层，两者依序相叠。缓冲层具有不规则的裂痕，使缓冲层具有不连续之上表面。裂痕的深度大于或等于第二次缓冲层的厚度，且小于或等于第一次缓冲层及第二次缓冲层厚度的总合。磊晶层位于缓冲层之上，并为一连续层。

主权项

一种半导体模板，其特征在于，包含：一基板；一缓冲层，位于该基板的一表面，其包含：一第一次缓冲层，及一第二次缓冲层依序相叠，其中该缓冲层具有不规则的多个裂痕，使该缓冲层之上表面为不连续；该多个裂痕的深度大于或等于该第二次缓冲层的厚度，且小于或等于该第一次缓冲层及该第二次缓冲层厚度的总合；及一磊晶层，位于该缓冲层之上，且为连续层。