发明名称 用于在光伏应用中沉积微晶材料的方法和设备
摘要 本申请涉及用于在光伏应用中沉积微晶材料的方法和设备。提供了一种用于生产光伏电池的沉积方法和系统。该方法包括在半导体材料沉积的至少一部分期间在反应室内保持负压。将第一和第二电极分离的距离D用mm来表示,并且大于或等于约10mm但小于或等于约30mm。在半导体材料沉积的至少一部分期间建立按体积计至少百分之五十(50%)的工艺气体中的含半导体气体的浓度。
申请公布号 CN105887040A 申请公布日期 2016.08.24
申请号 CN201610101963.X 申请日期 2011.04.14
申请人 瑞士艾发科技 发明人 M.克林德沃特;M.库皮希
分类号 C23C16/24(2006.01)I;C23C16/455(2006.01)I 主分类号 C23C16/24(2006.01)I
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人 陈岚
主权项 一种用于在衬底上沉积半导体材料的沉积系统,所述沉积系统包括:沉积室,其包围其中半导体材料将被沉积到衬底上以在衬底上形成半导体材料的微晶层的反应空间;衬底支撑体,其在反应空间中支撑所述衬底;第一和第二电极,其彼此相对并以距离D分离,所述第一和第二电极被操作连接至将被激励以便将等离子体点燃并在沉积的至少一部分期间保持反应空间中的等离子体的电源;真空子系统,其至少部分地抽空所述沉积室;输送子系统,其向所述反应空间引入工艺气体,所述工艺气体包括:来自半导体源的含半导体气体和来自稀释源的稀释剂;以及控制器,其被编程为控制真空子系统和输送子系统中的至少一个的操作以:在小于或等于下式的压力下在半导体材料沉积的至少一部分期间保持负压:<img file="dest_path_image001.GIF" wi="110" he="43" />其中,将所述第一和第二电极分离的距离D用mm来表示,以及所述距离D大于或等于10mm且小于或等于30mm,并且在半导体材料沉积的至少一部分期间建立工艺气体中的按体积计至少百分之五十(50%)的含半导体气体的浓度。
地址 瑞士特吕巴赫