一种图形化绝缘体上硅衬底材料及其制备方法

摘要

本发明提供一种图形化绝缘体上硅衬底材料及其制备方法，所述制备方法包括：1）提供一包括底层硅、埋氧层及顶层硅的SOI衬底，于所述顶层硅表面形成绝缘层；2）于对应于制备晶体管沟道的位置形成刻蚀窗口；3）刻蚀所述绝缘层，形成贯穿至所述顶层硅的凹槽；4）提供一硅衬底，键合所述硅衬底及所述绝缘层；5）去除所述底层硅；6）去除所述埋氧层。本发明通过在对应于制备晶体管沟道的绝缘层中制作凹槽，该凹槽完全贯穿于顶层硅及底层硅之间，使得后续制备的晶体管沟道下方具有挖空区域。本发明的衬底制备过程中，在保证材料质量的同时，避免了Smart‑cut方法中的退火剥离步骤，从而避免了图形化区域的顶层硅因受到较大应力而出现破损的问题。

主权项

一种图形化绝缘体上硅衬底材料的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括步骤：步骤1)，提供一包括底层硅、埋氧层及顶层硅的SOI衬底，于所述顶层硅表面形成绝缘层；步骤2)，于所述绝缘层表面形成掩膜层，并于对应于制备晶体管沟道的位置形成刻蚀窗口；步骤3)，基于刻蚀窗口刻蚀所述绝缘层，形成贯穿至所述顶层硅的凹槽；步骤4)，提供一硅衬底，键合所述硅衬底及所述绝缘层；步骤5)，去除所述SOI衬底的底层硅；步骤6)，去除所述SOI衬底的埋氧层，形成图形化绝缘体上硅衬底材料。