| 发明名称 | 半导体装置 | ||
| 摘要 | 本发明之一实施例提供一种半导体装置，该半导体装置包括一基板，其中该基板包含一接垫；以及一钝化层配置于该基板上方，其中该钝化层系局部覆盖该接垫：一球下金属层，配置于该基板上方，其中该球下金属层系与该接垫耦合；一导电凸块，配置于该球下金属层之上方，其中该导电凸块，包含：一柱体，系连接该球下金属层；一帽体，配置于该柱体的顶部，其中，该帽体包含一底部截面积系大于该柱体的截面积，该帽体之底部距离该钝化层之上表面具有一间隔；以及一焊球，系包覆该导电凸块。 | ||
| 申请公布号 | CN105895604A | 申请公布日期 | 2016.08.24 |
| 申请号 | CN201510448508.2 | 申请日期 | 2015.07.28 |
| 申请人 | 南茂科技股份有限公司;百慕达南茂科技股份有限公司 | 发明人 | 黄春福 |
| 分类号 | H01L23/488(2006.01)I;H01L23/48(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/488(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市铸成律师事务所 11313 | 代理人 | 孟锐 |
| 主权项 | 一种半导体装置，该半导体装置包括一基板，其中该基板包含一接垫；以及一钝化层配置于该基板上方，其中该钝化层系局部覆盖该接垫：一球下金属层，配置于该基板上方，其中该球下金属层系与该接垫耦合；一导电凸块，配置于该球下金属层之上方，其中该导电凸块，包含：一柱体，系连接该球下金属层；一帽体，配置于该柱体的顶部，其中，该帽体包含一底部截面积系大于该柱体的截面积，该帽体之底部距离该钝化层之上表面具有一间隔；以及一焊球，系包覆该导电凸块。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||