| 发明名称 | 用于降低半导体装置中的泄漏电流的结层间电介质 | ||
| 摘要 | 本发明涉及用于降低半导体装置中的泄漏电流的结层间电介质。半导体装置包括衬底和在衬底上的包括掺杂的III‑V材料的p掺杂层。在p掺杂层上形成电介质中间层。在电介质中间层上形成n型层，n型层包括高带隙II‑VI材料以形成电子装置。 | ||
| 申请公布号 | CN105895668A | 申请公布日期 | 2016.08.24 |
| 申请号 | CN201610081031.3 | 申请日期 | 2016.02.05 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | J·P·德索扎;K·E·弗格尔;J·吉姆;D·K·萨达纳;B·A·瓦卡塞尔 |
| 分类号 | H01L29/06(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/861(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/329(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/06(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 刘倜 |
| 主权项 | 一种半导体装置，包括：衬底；p掺杂层，所述p掺杂层在所述衬底上，包括掺杂的III‑V材料；电介质中间层，所述电介质中间层形成在所述p掺杂层上；以及n型层，所述n型层形成在所述电介质中间层上，所述n型层包括高带隙II‑VI材料以形成电子装置。 | ||
| 地址 | 美国纽约 | ||