半导体器件

摘要

在实施例中，一种半导体器件包括衬底，形成在衬底上的基于III族氮化物的半导体层，形成在基于III族氮化物的半导体层上并且彼此相间隔的第一电流电极和第二电流电极，以及形成在基于III族氮化物的半导体层上的在第一电流电极与第二电流电极之间的控制电极。该控制电极至少包括中间部分以及与中间部分邻接的第二部分，该中间部分被配置用于在第一电压被施加到控制电极上时关断在中间部分下方的沟道。该第二部分被配置为当第二电压被施加到控制电极上时关断在第二部分下方的沟道，第二电压小于第一电压并且第二电压小于第二部分的阈值电压。

主权项

一种半导体器件，包括：衬底；形成在所述衬底上的基于III族氮化物的半导体层；形成在所述基于III族氮化物的半导体层上并且彼此相间隔的第一电流电极和第二电流电极；以及形成在所述基于III族氮化物的半导体层上的在所述第一电流电极与所述第二电流电极之间的控制电极，其中所述控制电极至少包括中间部分以及与所述中间部分邻接的第二部分，所述中间部分被配置用于在第一电压被施加到所述控制电极上时关断在所述中间部分下方的沟道，所述第二部分被配置为在第二电压被施加到所述控制电极上时关断在所述第二部分下方的沟道，所述第二电压小于所述第一电压并且所述第二电压小于所述第二部分的阈值电压。