发明名称 NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE
摘要 본 발명은 텍스쳐(texture) 효과를 통해 광추출 효율(Light Extraction Efficiency)이 향상된 질화물 반도체 발광소자에 관한 것으로, 기판 위에 형성되며, 제1 도전형 질화물 반도체층 및 제2 도전형 질화물 반도체층과, 그 사이에 위치하는 활성층을 포함하는 발광구조물; 상기 제1 도전형 질화물 반도체층에 전기적으로 연결된 제1 전극; 상기 제2 도전형 질화물 반도체층에 전기적으로 연결된 제2 전극; 및 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 사이에 위치하며, 상기 발광구조물의 상하면을 관통하도록 형성된 복수개의 관통홀을 구비하는 광추출 패턴;을 포함한다.
申请公布号 KR101650722(B1) 申请公布日期 2016.08.24
申请号 KR20100012823 申请日期 2010.02.11
申请人 삼성전자주식회사 发明人 황석민;한재호;김재윤;하해수;이수열;김제원
分类号 H01L33/20 主分类号 H01L33/20
代理机构 代理人
主权项
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