发明名称 |
p型Bi<sub>0.5</sub>Sb<sub>1.5</sub>Te<sub>3</sub>基纳米多孔热电复合材料的制备方法 |
摘要 |
本发明提供一种p型Bi<sub>0.5</sub>Sb<sub>1.5</sub>Te<sub>3</sub>基纳米多孔热电复合材料的制备方法,该方法步骤:将3‑5μm的Sn焊膏铺展在p型热电材料Bi<sub>0.5</sub>Sb<sub>1.5</sub>Te<sub>3</sub>上面,并放在加热台上,在260℃温度下,在Ar气的保护氛围中进行液相润湿反应,形成Sn焊膏与生成物SnTe‑SbSn的均匀混合层;在Ar气体氛围下反应防止锡氧化,通过反应的时间和温度可以调控混合层反应生成物SnTe‑SbSn的厚度和生成物的微观结构;将上述反应后的热电材料Bi<sub>0.5</sub>Sb<sub>1.5</sub>Te<sub>3</sub>与Sn焊膏组成的反应对进行超声震荡,酸洗,得到孔洞分布均匀的p型Bi<sub>0.5</sub>Sb<sub>1.5</sub>Te<sub>3</sub>/多孔SnTe‑SbSn复合热电材料。有益效果是该制备方法得到均匀200‑500μm纳米孔的SnTe‑SbSn层,反应层厚度增加至40μm,反应速率为4.05μm/min,成本较低、成分准确可控。 |
申请公布号 |
CN104078557B |
申请公布日期 |
2016.08.24 |
申请号 |
CN201410319653.6 |
申请日期 |
2014.07.07 |
申请人 |
天津大学 |
发明人 |
徐连勇;任新宇;张浩;韩永典;荆洪阳 |
分类号 |
H01L35/34(2006.01)I;H01L35/16(2006.01)I;B82Y30/00(2011.01)I;B82Y40/00(2011.01)I |
主分类号 |
H01L35/34(2006.01)I |
代理机构 |
天津才智专利商标代理有限公司 12108 |
代理人 |
吕志英 |
主权项 |
一种p型Bi<sub>0.5</sub>Sb<sub>1.5</sub>Te<sub>3</sub>基纳米多孔热电复合材料的制备方法,该制备方法的包括以下步骤:1)、将3‑5μm厚的Sn焊膏铺展在p型热电材料Bi<sub>0.5</sub>Sb<sub>1.5</sub>Te<sub>3</sub>上面,并放在加热台上,在260‑280℃温度下,在Ar气的保护氛围中进行液相润湿反应,反应时间为5‑10min,从而形成一层Sn焊膏与生成物SnTe‑SbSn的均匀混合层;在Ar气体氛围下反应防止锡氧化,通过反应的时间和温度可以调控混合层反应生成物SnTe‑SbSn的厚度和生成物的微观结构;2)、将步骤1)中反应后的热电材料Bi<sub>0.5</sub>Sb<sub>1.5</sub>Te<sub>3</sub>与Sn焊膏组成的反应对,放置于盛有浓度为10%的硝酸溶液的烧杯中,然后在温度为80℃的水浴环境中进行超声震荡,酸洗的时间为15‑30min,混合层上部的Sn焊膏和夹杂其中的Sn焊膏将被硝酸腐蚀掉,从而在SnTe‑SbSn层中形成直径为200‑500μm的孔;其后,用蒸馏水反复多次清洗,从而得到p型Bi<sub>0.5</sub>Sb<sub>1.5</sub>Te<sub>3</sub>/多孔SnTe‑SbSn复合热电材料,由于Sn焊膏在液相的状态下反应,得到的孔洞分布均匀。 |
地址 |
300072 天津市河西区卫津路92号 |