发明名称 一种磁控溅射装置
摘要 本发明公开了一种磁控溅射装置,包括:相对设置的U型板形成的双轨道结构,双轨道结构的U型口相对,设置于双轨道结构下沿之间且相对于双轨道结构下沿移动的电极块,以及设置于双轨道结构中间,且位于电极块上方成直列形式的多种靶材块,多种靶材块沿双轨道结构在电极块上方移动,其中,电极块与多种靶材块电连接,设置于双轨道结构中第一轨道上沿的开有泄气孔的稀有气体发射管,泄气孔朝向多种靶材块。解决了现有技术中磁控溅射装置在实现所需化学计量比的薄膜时,无法将组分比例连续调整的技术问题,从而能够实现连续薄膜组分连续地进行调整的技术效果。
申请公布号 CN104164655B 申请公布日期 2016.08.24
申请号 CN201410467294.9 申请日期 2014.09.15
申请人 电子科技大学 发明人 黎威志;熊成;张也驰;杨光金
分类号 C23C14/35(2006.01)I 主分类号 C23C14/35(2006.01)I
代理机构 成都华风专利事务所(普通合伙) 51223 代理人 徐丰
主权项 一种磁控溅射装置,其特征在于,包括:相对设置的U型板形成的双轨道结构,双轨道结构的U型口相对,设置于双轨道结构下沿之间且相对于双轨道结构移动的电极块,以及设置于双轨道结构中间,且位于电极块上方成直列形式的多种靶材块,多种靶材块沿双轨道结构在电极块上方移动,其中,电极块与靶材块电连接,设置于双轨道结构中第一轨道上沿的开有泄气孔的稀有气体发射管,泄气孔朝向多种靶材块。
地址 611731 四川省成都市高新西区西源大道2006号