发明名称 |
一种磁控溅射装置 |
摘要 |
本发明公开了一种磁控溅射装置,包括:相对设置的U型板形成的双轨道结构,双轨道结构的U型口相对,设置于双轨道结构下沿之间且相对于双轨道结构下沿移动的电极块,以及设置于双轨道结构中间,且位于电极块上方成直列形式的多种靶材块,多种靶材块沿双轨道结构在电极块上方移动,其中,电极块与多种靶材块电连接,设置于双轨道结构中第一轨道上沿的开有泄气孔的稀有气体发射管,泄气孔朝向多种靶材块。解决了现有技术中磁控溅射装置在实现所需化学计量比的薄膜时,无法将组分比例连续调整的技术问题,从而能够实现连续薄膜组分连续地进行调整的技术效果。 |
申请公布号 |
CN104164655B |
申请公布日期 |
2016.08.24 |
申请号 |
CN201410467294.9 |
申请日期 |
2014.09.15 |
申请人 |
电子科技大学 |
发明人 |
黎威志;熊成;张也驰;杨光金 |
分类号 |
C23C14/35(2006.01)I |
主分类号 |
C23C14/35(2006.01)I |
代理机构 |
成都华风专利事务所(普通合伙) 51223 |
代理人 |
徐丰 |
主权项 |
一种磁控溅射装置,其特征在于,包括:相对设置的U型板形成的双轨道结构,双轨道结构的U型口相对,设置于双轨道结构下沿之间且相对于双轨道结构移动的电极块,以及设置于双轨道结构中间,且位于电极块上方成直列形式的多种靶材块,多种靶材块沿双轨道结构在电极块上方移动,其中,电极块与靶材块电连接,设置于双轨道结构中第一轨道上沿的开有泄气孔的稀有气体发射管,泄气孔朝向多种靶材块。 |
地址 |
611731 四川省成都市高新西区西源大道2006号 |