一种无主栅背接触太阳能电池组件及其制备方法

摘要

本发明公开了一种无主栅背接触太阳能电池组件，包括从上至下设置的玻璃、EVA、串联电池片、EVA和背板，串联电池片包括导电背板和设置于导电背板上且与所述导电背板相欧姆接触的多个无主栅背接触太阳能电池片，该电池组件由于采用无主栅背接触太阳能电池，因此可省去制备背接触太阳能电池主栅电极的工序，从而降低背接触太阳能电池的金属化工艺化难度和电池生产成本，同时，通过将该无主栅背接触太阳能电池置于低电阻率的导电背板上，可降低由于电池片之间的串联所引入的串联电阻，减少太阳能电池组件的欧姆消耗，改善制备太阳能电池组件每瓦的成本。本发明还公开了上述无主栅背接触太阳能电池组件的制备方法，该方法工艺简洁，有效可靠。

主权项

一种无主栅背接触太阳能电池组件，包括从上至下设置的玻璃、EVA、串联电池片、EVA和背板，其特征是：所述串联电池片包括导电背板和设置于所述导电背板上且与所述导电背板相欧姆接触的多个无主栅背接触太阳能电池片；所述的无主栅背接触太阳能电池片包括硅基体，相互交替分布在硅基体背面的p+掺杂区域和n+掺杂区域，设于所述p+掺杂区域和n+掺杂区域之间用于使所述p+掺杂区域和n+掺杂区域电绝缘的带隙，设于所述p+掺杂区域上并与其相欧姆接触的p+区域金属点状电极或金属细栅电极，以及设于所述n+掺杂区域上并与其相欧姆接触的n+区域金属点状电极或金属细栅电极；所述导电背板从上到下包括依次排列的第一绝缘层、第一电极导电板、第二绝缘层、第二电极导电板和第三绝缘层，在第一绝缘层上设有穿孔A阵列和穿孔B阵列，所述穿孔A阵列的位置与所述背接触太阳能电池上p+区域金属点状电极或金属细栅电极的位置相对应，所述穿孔B阵列的位置与所述背接触太阳能电池上n+区域金属点状电极或金属细栅电极的位置相对应，在第一电极导电板上设有穿孔C阵列，所述穿孔C阵列的位置与所述背接触太阳能电池上p+区域金属点状电极或金属细栅电极的位置相对应，在第二绝缘层设有穿孔D阵列，所述穿孔D阵列的位置与所述背接触太阳能电池上p+区域金属点状电极或金属细栅电极的位置相对应；或所述导电背板从上到下包括依次排列的第一绝缘层、第一电极导电板、第二绝缘层、第二电极导电板和第三绝缘层，在第一绝缘层上设有穿孔A阵列和穿孔B阵列，所述穿孔A阵列的位置与所述背接触太阳能电池上n+区域金属点状电极或金属细栅电极的位置相对应，所述穿孔B阵列的位置与所述背接触太阳能电池上p+区域金属点状电极或金属细栅电极的位置相对应，在第一电极导电板上设有穿孔C阵列，所述穿孔C阵列的位置与所述背接触太阳能电池上n+区域金属点状电极或金属细栅电极的位置相对应，在第二绝缘层设有穿孔D阵列，所述穿孔D阵列的位置与所述背接触太阳能电池上n+区域金属点状电极或金属细栅电极的位置相对应。