半导体装置以及半导体装置的制造方法

摘要

本发明提供一种半导体装置，具有在碳化硅半导体区域中形成的IGBT以及FWD，其中，IGBT具备在碳化硅半导体区域的一个主面侧形成的发射极电极、基极区域、发射极区域、在碳化硅半导体区域的一个主面侧形成的集电极区域、集电极电极、与碳化硅半导体区域、发射极区域和基极区域相接的栅极绝缘膜以及与栅极绝缘膜对置的栅电极，FWD具备：基极接触区域，与发射极区域邻接，与发射极电极电连接；以及阴极区域，配设于碳化硅半导体区域的另一个主面侧的上层部，与集电极区域邻接地设置，与集电极电极电连接，IGBT还具备载流子陷阱减少区域，该载流子陷阱减少区域配设于集电极区域的上方的碳化硅半导体区域内的主电流的通电区域，载流子陷阱少于阴极区域的上方的碳化硅半导体区域内的载流子陷阱。

主权项

一种半导体装置，具有在第2导电类型的碳化硅半导体区域(4)中形成的绝缘栅双极型晶体管和与所述绝缘栅双极型晶体管反并联地连接的二极管，所述绝缘栅双极型晶体管具备：发射极电极(8)，配设于所述碳化硅半导体区域的一个主面上；第1导电类型的基极区域(5)，在所述碳化硅半导体区域的所述一个主面侧的上层部选择性地配设有多个；第2导电类型的发射极区域(6)，选择性地配设于所述基极区域各自的上层部，与所述发射极电极电连接；第1导电类型的集电极区域(2)，配设于所述碳化硅半导体区域的另一个主面侧的上层部；集电极电极(1)，配设于所述碳化硅半导体区域的所述另一个主面上，与所述集电极区域电连接；栅极绝缘膜(9)，被配设成与所述碳化硅半导体区域、所述发射极区域以及所述基极区域连续地相接；以及栅电极(10)，被配置成隔着所述栅极绝缘膜而与所述碳化硅半导体区域、所述发射极区域以及所述基极区域对置，所述二极管具备：第1导电类型的基极接触区域(7)，与所述发射极区域邻接地设置，与所述发射极电极电连接；以及第2导电类型的阴极区域(3)，配设于所述碳化硅半导体区域的所述另一个主面侧的上层部，与所述集电极区域邻接地设置，与所述集电极电极电连接，所述绝缘栅双极型晶体管还具备：载流子陷阱减少区域(11)，配设于所述集电极区域的上方的所述碳化硅半导体区域内的主电流的通电区域，载流子陷阱少于所述阴极区域的上方的所述碳化硅半导体区域内的载流子陷阱。