DAF与低粗糙度硅片结合性来克服基板与芯片分层方法

摘要

本发明公开了DAF与低粗糙度硅片结合性来克服基板与芯片分层方法，包括晶圆芯片，胶层和基板，还包括增加层，增加层的底面覆盖新的DAF膜，其先与基板结合，其通过五个步骤来完成；上述技术方案通过晶圆假片的背面覆盖新的DAF膜先与基板结合，有效地改善分层而又不影响产品电气特性。

主权项

DAF与低粗糙度硅片结合性来克服基板与芯片分层方法，包括晶圆芯片，胶层和基板，其特征在于：还包括增加层，所述增加层为底面覆盖新的DAF膜的晶圆假片，其先与基板结合，通过下列步骤来实现：步骤一、准备整块晶圆假片，通过减薄工艺将整块晶圆假片减薄到所需厚度，在晶圆假片的背面贴上新的DAF膜，将整片晶圆假片和DAF膜通过晶元切割工艺一起切开，切成晶圆芯片一样大小的晶圆假片颗粒；步骤二、将晶圆假片颗粒通过固晶制程贴合在基板上，让晶圆假片颗粒背面的新的DAF膜和基板表面结合；步骤三、将产品晶圆芯片颗粒通过固晶制程贴在步骤下已完成的晶圆假片上，让晶圆芯片上的DAF膜和低粗糙度的硅层表面结合；步骤四、继续后序工序：焊线，塑封；步骤五、完成封装后，根据晶圆芯片应用等级的要求，随机挑选几十颗单颗IC做可靠性实验。