发明名称 |
一种低温纳米疏水真空放电沉积镀膜方法 |
摘要 |
本发明涉及一种低温纳米疏水真空放电沉积镀膜的方法,其包括以下步骤:1)表面处理步骤,2)纳米疏水镀膜步骤。本发明还涉及一种用于镀膜的设备,所述设备设置有真空仓体,真空仓体内设置有样品台、加热装置、真空装置、高频和射频电极、至少5个进气口,在样品台上方30‑70mm位置设置有屏蔽钢网;真空仓体外部还设置有至少5个气体气源,气源上设置有调节流量的调节装置。 |
申请公布号 |
CN105887049A |
申请公布日期 |
2016.08.24 |
申请号 |
CN201610252365.2 |
申请日期 |
2016.04.21 |
申请人 |
郑亮 |
发明人 |
郑亮 |
分类号 |
C23C16/509(2006.01)I |
主分类号 |
C23C16/509(2006.01)I |
代理机构 |
北京市诚辉律师事务所 11430 |
代理人 |
郎坚 |
主权项 |
一种低温纳米疏水真空放电沉积镀膜的方法,其包括以下步骤:1)表面处理步骤:1a)将样品放入镀膜设备的真空仓体内,并进行抽真空操作;1b)打开氧气电磁阀,在真空仓体内通入氧气;1c)通入氧气后真空度会下降,待到真空度稳定后,接通并启动13.56MHz射频电源;1d)处理完成后,关闭氧气电磁阀和13.56MHz射频电源;2)纳米疏水镀膜步骤:2a)设置温度控制器2使样品3的温度被加热到50‑100℃;2b)打开六氟化硫、甲烷和氩气氢气混合气电磁阀,在真空仓体内通入六氟化硫、甲烷和氩气氢气混合气;2c)通入六氟化硫、甲烷和氩气氢气混合气后真空度会下降,待到真空度稳定后,接通并启动13.56MHz射频电源以及300KHz高频电源;2d)处理完成后,关闭六氟化硫、甲烷和氩气氢气混合气电磁阀和13.56MHz射频电源以及300KHz高频电源,并接通大气。 |
地址 |
100088 北京市海淀区西直门北大街甲一号依都阁20C |