发明名称 |
用于光学应用的半导体器件和制造这样半导体器件的方法 |
摘要 |
传感器(2)被布置在半导体衬底(1)的主表面(10)处,并且滤光器(3)被布置在传感器上方。贯通衬底通路(4)在传感器的区域外部穿透衬底。在主表面上方施加半导体本体,并且接着至少在传感器上方的区域中部分地去除该半导体本体。半导体本体的部分保留在贯通衬底通路上方作为框架层(5)。滤光器与框架层在同一水平面上。 |
申请公布号 |
CN105900247A |
申请公布日期 |
2016.08.24 |
申请号 |
CN201580004240.1 |
申请日期 |
2015.01.14 |
申请人 |
ams有限公司 |
发明人 |
胡贝特·埃尼赫尔迈尔;弗朗茨·施兰克 |
分类号 |
H01L31/0203(2014.01)I |
主分类号 |
H01L31/0203(2014.01)I |
代理机构 |
北京集佳知识产权代理有限公司 11227 |
代理人 |
康建峰;吴琼 |
主权项 |
一种半导体器件,包括:‑半导体衬底(1),其具有主表面(10);‑传感器(2),其在所述主表面(10)处被布置在所述衬底(1)中;‑滤光器(3),其被布置在所述传感器(2)上方;以及‑贯通衬底通路(4),其在所述传感器(2)外部穿透所述衬底(1),所述半导体器件的特征在于‑在所述贯通衬底通路(4)上方的所述主表面(10)上方布置有框架层(5),‑所述框架层(5)没有覆盖所述滤光器(3),并且‑所述滤光器(3)与所述框架层(5)在同一水平面上。 |
地址 |
奥地利乌恩特普雷姆斯塔特恩 |