| 发明名称 | 一种沟槽式肖特基二极管结构及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种沟槽式肖特基二极管结构及其制备方法，所述沟槽式肖特基二极管结构至少包括：第一导电类型的衬底；多个沟槽结构，包括形成于所述衬底中的多个沟槽、结合于各该沟槽表面的介质层、以及填充于各该沟槽内的导电材料；其中，相邻两个沟槽结构之间的衬底表面包含有凹弧面；金属半导体化合物，形成于所述衬底表面；正面电极层，覆盖于所述金属半导体化合物及沟槽结构表面。本发明通过工艺改进，衬底表面的肖特基势垒层包括凹弧面结构，比起常规的平面形结构面积大大增大，从而有效降低正向压降VF，提高了器件性能。本发明的结构及制备方法简单，效果显著，适用于工业生产。 | ||
| 申请公布号 | CN103646967B | 申请公布日期 | 2016.08.24 |
| 申请号 | CN201310574660.6 | 申请日期 | 2013.11.14 |
| 申请人 | 中航（重庆）微电子有限公司 | 发明人 | 黄晓橹;沈健;陈逸清 |
| 分类号 | H01L29/872(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/329(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/872(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人 | 李仪萍 |
| 主权项 | 一种沟槽式肖特基二极管结构，其特征在于，至少包括：第一导电类型的衬底；多个沟槽结构，包括形成于所述衬底中的多个沟槽、结合于各该沟槽表面的介质层、以及填充于各该沟槽内的导电材料；其中，相邻两个沟槽结构之间的衬底表面包含有凹弧面,所述凹弧面的宽度为相邻两个沟槽结构之间宽度的30％～100％；金属半导体化合物，形成于所述衬底表面；正面电极层，覆盖于所述金属半导体化合物及沟槽结构表面。 | ||
| 地址 | 401331 重庆市沙坪坝区西永镇西永大道25号 | ||