| 发明名称 | 浮置二极管及其制作方法 | ||
| 摘要 | 一种浮置二极管及其制作方法，其中浮置二极管包括：处于半导体衬底中的第一掺杂区，处于第一掺杂区内的第二掺杂区，处于第二掺杂区内的第三掺杂区；第一掺杂区边界外的半导体衬底表面具有一第一重掺杂区，第一掺杂区的边界和第二掺杂区的边界之间的半导体衬底表面具有一第二重掺杂区；第三掺杂区内的半导体衬底表面具有一第一重掺杂区和两个第二重掺杂区；其中，第一掺杂区、第三掺杂区和第二重掺杂区的掺杂类型相同，第二掺杂区、半导体衬底和第一重掺杂区的掺杂类型相同，第一掺杂区和所述第二掺杂区的掺杂类型相反。本发明的技术方案解决了现有工艺中浮置二极管在使用时Vk必须大于0这个前提条件，同时防止了少数载流子注入到衬底中。 | ||
| 申请公布号 | CN103035744B | 申请公布日期 | 2016.08.24 |
| 申请号 | CN201210564483.9 | 申请日期 | 2012.12.21 |
| 申请人 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 刘正超 |
| 分类号 | H01L29/861(2006.01)I;H01L29/36(2006.01)I;H01L21/329(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/861(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种浮置二极管，其特征在于，包括：处于半导体衬底中的第一掺杂区，处于第一掺杂区内的第二掺杂区，处于第二掺杂区内的第三掺杂区；第一掺杂区边界外的半导体衬底表面具有一第一重掺杂区，所述第一掺杂区的边界和第二掺杂区的边界之间的半导体衬底表面具有一第二重掺杂区；所述第三掺杂区内的半导体衬底表面具有一第一重掺杂区和两个第二重掺杂区；其中，所述第一掺杂区、第三掺杂区和第二重掺杂区的掺杂类型相同，第二掺杂区、半导体衬底和第一重掺杂区的掺杂类型相同，第一掺杂区和所述第二掺杂区的掺杂类型相反。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号 | ||