发明名称 |
一种CdZnOS四元ZnO合金半导体材料及其制备方法 |
摘要 |
本发明公开一种CdZnOS四元ZnO合金半导体材料及其制备方法,通过Cd与S同时掺杂ZnO,调节CdZnOS中Cd与Zn、O与S的比例形成全新的CdZnOS四元ZnO合金半导体材料,得到带隙在较宽范围内可调的宽禁带半导体,可用于发光器件或光探测器件。本发明报道的CdZnOS单晶材料为世界上首次成功合成,制备CdZnOS四元ZnO合金半导体对于开发波长可调的光电器件具有非常重要的意义。此CdZnOS四元ZnO合金半导体材料可采用常规脉冲激光沉积、磁控溅射、电子束蒸发等多种方法进行生长,设备和操作工艺简单,易于控制。 |
申请公布号 |
CN104357798B |
申请公布日期 |
2016.08.24 |
申请号 |
CN201410571284.X |
申请日期 |
2014.10.23 |
申请人 |
湖北大学 |
发明人 |
何云斌;黎明锴;郑丽兰 |
分类号 |
C23C14/28(2006.01)I;C23C14/08(2006.01)I |
主分类号 |
C23C14/28(2006.01)I |
代理机构 |
北京汇信合知识产权代理有限公司 11335 |
代理人 |
夏静洁 |
主权项 |
一种CdZnOS四元ZnO合金半导体材料的制备方法,其特征在于,所述CdZnOS四元ZnO合金半导体材料的制备方法包括以下步骤:步骤1,制备生长CdZnOS四元ZnO合金半导体薄膜材料所需的陶瓷靶材,1.1、按一定配比称取高纯ZnS和CdO粉末,所述ZnS粉末和CdO粉末的摩尔比例范围为95:5~60:40;1.2、在称取的上述粉末中加入粉末总质量60%的去离子水进行球磨;1.3、将球磨后的粉料进行真空干燥处理,干燥箱内真空度为0.1Pa,温度为100℃,干燥6小时;1.4、在干燥后的上述混合粉料中加入粉料质量6%的去离子水,研磨搅拌使粉料均匀混合粘结在一起;1.5、将混匀物置于模具中,压制成陶瓷坯片,陶瓷坯片的厚度为2mm;1.6、将陶瓷坯片放入真空管式炉,并在陶瓷坯片周围放置硫粉,在氩气保护下,在600~700℃高温烧结3~4小时后得到所需陶瓷材料;步骤2,采用脉冲激光烧蚀方法制备CdZnOS薄膜,2.1、采用步骤1制备的陶瓷材料作为激光烧蚀靶材,采用蓝宝石作为薄膜生长的衬底;2.2、将衬底经过丙酮、无水乙醇和去离子水中的一种或几种试剂超声波清洗15分钟;2.3、将步骤1制备的靶材和步骤2.2清洗得到的衬底分别放在靶台和样品台上装入真空室,并开启真空泵抽真空,真空度为10<sup>‑4</sup>Pa以下,调节衬底的生长温度为700℃,开启样品台和靶台自转;2.4、通入氧气,调整氧压为0.05~2.5Pa,开启激光器,将陶瓷靶材表面原子激光烧蚀出来沉积在衬底表面形成CdZnOS薄膜,激光能量为250~300mJ/pulse。 |
地址 |
430000 湖北省武汉市武昌区友谊大道368号 |