发明名称 |
一种氮化铝一维纳米结构材料的制备方法 |
摘要 |
本发明公开了一种氮化铝一维纳米结构材料的制备方法,包含以下步骤:步骤1:取一衬底放入氢化物气相外延设备的反应室中;步骤2:在氢化物气相外延设备中对衬底表面进行高温氮化处理;步骤3:将氢化物源和氮源分别通入铝源区和反应室中,在氮化后的衬底上进行柱状排列的氮化铝纳米结构材料制备;步骤4:结束生长后,关闭氢化物源;步骤5:当反应室温度降到550℃以下,关闭氮源;步骤6:反应室温度降到室温后,取出样品。 |
申请公布号 |
CN104495766B |
申请公布日期 |
2016.08.24 |
申请号 |
CN201410764375.5 |
申请日期 |
2014.12.11 |
申请人 |
中国科学院半导体研究所 |
发明人 |
孔苏苏;李辉杰;冯玉霞;赵桂娟;魏鸿源;杨少延;王占国 |
分类号 |
C01B21/068(2006.01)I;B82Y30/00(2011.01)I;B82Y40/00(2011.01)I |
主分类号 |
C01B21/068(2006.01)I |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 11021 |
代理人 |
宋焰琴 |
主权项 |
一种氮化铝一维纳米结构材料的制备方法,包含以下步骤:步骤1:取一衬底放入氢化物气相外延设备的反应室中;步骤2:在氢化物气相外延设备中对衬底表面进行高温氮化处理;步骤3:将氢化物源和氮源分别通入铝源区和反应室中,在氮化后的衬底上进行柱状排列的氮化铝纳米结构材料制备;步骤4:结束生长后,关闭氢化物源;步骤5:当反应室温度降到550℃以下,关闭氮源;步骤6:反应室温度降到室温后,取出样品;其中,步骤2中所述的氮化处理,具体过程包括:步骤21:反应室温度上升至预设温度后,先通入氢气,烘烤10分钟;步骤22:再通入氮气和氨气对衬底氮化3分钟。 |
地址 |
100083 北京市海淀区清华东路甲35号 |