发明名称 一种氮化铝一维纳米结构材料的制备方法
摘要 本发明公开了一种氮化铝一维纳米结构材料的制备方法,包含以下步骤:步骤1:取一衬底放入氢化物气相外延设备的反应室中;步骤2:在氢化物气相外延设备中对衬底表面进行高温氮化处理;步骤3:将氢化物源和氮源分别通入铝源区和反应室中,在氮化后的衬底上进行柱状排列的氮化铝纳米结构材料制备;步骤4:结束生长后,关闭氢化物源;步骤5:当反应室温度降到550℃以下,关闭氮源;步骤6:反应室温度降到室温后,取出样品。
申请公布号 CN104495766B 申请公布日期 2016.08.24
申请号 CN201410764375.5 申请日期 2014.12.11
申请人 中国科学院半导体研究所 发明人 孔苏苏;李辉杰;冯玉霞;赵桂娟;魏鸿源;杨少延;王占国
分类号 C01B21/068(2006.01)I;B82Y30/00(2011.01)I;B82Y40/00(2011.01)I 主分类号 C01B21/068(2006.01)I
代理机构 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人 宋焰琴
主权项 一种氮化铝一维纳米结构材料的制备方法,包含以下步骤:步骤1:取一衬底放入氢化物气相外延设备的反应室中;步骤2:在氢化物气相外延设备中对衬底表面进行高温氮化处理;步骤3:将氢化物源和氮源分别通入铝源区和反应室中,在氮化后的衬底上进行柱状排列的氮化铝纳米结构材料制备;步骤4:结束生长后,关闭氢化物源;步骤5:当反应室温度降到550℃以下,关闭氮源;步骤6:反应室温度降到室温后,取出样品;其中,步骤2中所述的氮化处理,具体过程包括:步骤21:反应室温度上升至预设温度后,先通入氢气,烘烤10分钟;步骤22:再通入氮气和氨气对衬底氮化3分钟。
地址 100083 北京市海淀区清华东路甲35号