| 发明名称 | 绝缘隔离半导体器件 | ||
| 摘要 | 公开了一种绝缘隔离半导体器件。所述绝缘隔离半导体器件包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底上的第一半导体层；位于所述第一半导体层上的第二半导体层；位于所述第二半导体层中的半导体岛；以及围绕所述半导体岛的底部和侧壁的第一绝缘隔离层，其中，所述第一绝缘隔离层包括由所述第一半导体层的一部分形成的在所述半导体岛的底部延伸的第一部分，以及由所述第二半导体层的一部分形成的在所述半导体岛的侧壁延伸的第二部分。所述绝缘隔离半导体器件无需使用SOI，从而可以降低制造成本。 | ||
| 申请公布号 | CN205508823U | 申请公布日期 | 2016.08.24 |
| 申请号 | CN201521087032.6 | 申请日期 | 2015.12.22 |
| 申请人 | 杭州士兰微电子股份有限公司;杭州士兰集成电路有限公司 | 发明人 | 张常军;季锋;王平;陈祖银 |
| 分类号 | H01L29/06(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/06(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人 | 蔡纯;张靖琳 |
| 主权项 | 一种绝缘隔离半导体器件，其特征在于，包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底上的第一半导体层；位于所述第一半导体层上的第二半导体层；位于所述第二半导体层中的半导体岛；以及围绕所述半导体岛的底部和侧壁的第一绝缘隔离层，其中，所述第一绝缘隔离层包括由所述第一半导体层的一部分形成的在所述半导体岛的底部延伸的第一部分，以及由所述第二半导体层的一部分形成的在所述半导体岛的侧壁延伸的第二部分。 | ||
| 地址 | 310012 浙江省杭州市黄姑山路4号 | ||