一种晶圆硅通孔结构及其制备方法

摘要

本发明属于微电子技术领域，公开了一种晶圆硅通孔结构，所述晶圆硅通孔结构包括：通孔、正面钝化层、通孔钝化层、背面钝化层以及通孔钝化层外围的空腔；所述通孔开设在所述晶圆的硅衬底上；所述通孔内侧壁上设置通孔钝化层；所述正面钝化层与所述背面钝化层设置在所述硅衬底正面和背面；所述正面钝化层以及所述背面钝化层分别与所述通孔钝化层衔接；所述硅衬底内，所述通孔钝化层外围设置空腔。本发明通过在晶圆硅衬底上的通孔外设置空腔，降低由于通孔金属与硅材料热膨胀系数差异大造成的热应力效应；同时大大削弱通孔周围的电场密度，从而降低通孔的高频损耗。

主权项

一种晶圆硅通孔结构，其特征在于，所述晶圆硅通孔结构包括：通孔、正面钝化层、通孔钝化层、背面钝化层以及通孔钝化层外围的空腔；所述通孔开设在所述晶圆的硅衬底上；所述通孔钝化层为通孔壁；所述正面钝化层与所述背面钝化层设置在所述硅衬底正面和背面；所述正面钝化层以及所述背面钝化层分别与所述通孔钝化层衔接；所述硅衬底内，在所述通孔钝化层外围设置空腔。