五晶体管非易失性存储器单元

摘要

本发明提供一种五晶体管非易失性存储器(NVM)单元。该NVM单元包含：NMOS控制晶体管与PMOS擦除晶体管，两者分别具有共同连接的源极、漏极和主体区电极以及连接到存储节点的栅极电极。该NVM单元还包含：NMOS数据晶体管，具有源极、漏极、连接到共同主体节点的主体区电极和连接到存储节点的栅极电极；第一NMOS传送栅极晶体管，其具有连接到NMOS数据晶体管的漏极电极的源极电极、连接到第一阵列位线的漏极电极、连接到共同主体节点的主体区电极以及连接到第一阵列字线的栅极电极；以及第二NMOS传送栅极晶体管，其具有连接到NMOS数据晶体管的源极电极的漏极电极、连接到第二阵列位线的源极电极、连接到共同主体节点的主体区电极以及连接到第二阵列字线的栅极电极。

主权项

一种非易失性存储器NVM单元，其包括：NMOS控制晶体管，其具有共同连接的源极、漏极和主体区电极以及连接到存储节点的栅极电极；PMOS擦除晶体管，其具有共同连接的源极、漏极和主体区电极以及连接到所述存储节点的栅极电极；NMOS数据晶体管，其具有源极、漏极和主体区电极以及连接到所述存储节点的栅极电极，所述主体区电极连接到共同主体节点；第一NMOS传送栅极晶体管，其具有连接到所述NMOS数据晶体管的所述漏极电极的源极电极、漏极电极、连接到所述共同主体节点的主体区电极以及栅极电极；以及第二NMOS传送栅极晶体管，其具有连接到所述NMOS数据晶体管的所述源极电极的漏极电极、源极电极、连接到所述共同主体节点的主体区电极以及栅极电极；其中所述NMOS控制晶体管构建在隔离的P阱中。