发明名称 具有译码装置的存储器装置及其制造方法
摘要 本发明公开了一种由阵列阶层隔开的装置阶层中具有译码装置的存储器装置及其制造方法。该存储器装置具有存储器阵列与外围电路,而存储器阵列形成在阵列阶层,外围电路包括译码装置与其他外围电路,而外围电路形成在装置阶层中。存储单元阵列具有一边缘,边缘定义柱体,而柱体延伸至存储单元阵列的上方与下方。译码装置与其他外围电路或至少部分译码装置与其他外围电路设置在装置阶层中的柱体内。存储器装置结构亦包括在垫阶层中的多个垫片。第一多条层间导电线电性耦接译码装置至在存储单元阵列中的位线与字线。
申请公布号 CN103928046B 申请公布日期 2016.08.24
申请号 CN201310015908.5 申请日期 2013.01.16
申请人 旺宏电子股份有限公司 发明人 陈士弘
分类号 G11C8/10(2006.01)I 主分类号 G11C8/10(2006.01)I
代理机构 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人 任岩
主权项 一种存储器装置,包括:一存储单元阵列,是在一阵列阶层中,该存储单元阵列具有多个侧边,该多个侧边定义一边缘;一x‑译码装置与一y‑译码装置,是在一装置阶层中,该x‑译码装置与该y‑译码装置其中一个或两者是至少部分地设置在一柱体内,该柱体由该边缘所定义;多条层间导电线,是连接在该装置阶层内的该x‑译码装置与该y‑译码装置至该阵列阶层中的多条位线与多条字线,该多条层间导电线具有多个部分,该多个部分从该柱体外侧延伸到该柱体内侧以在该阵列阶层中形成接触;多个接垫,是在一垫阶层中,该垫阶层是与该装置阶层及该阵列阶层隔开,该多个接垫至少部分地设置在该柱体内;以及多个第二多条层间导电线,被耦接在该多个接垫与该装置阶层之间,该多个第二多条层间导电线的一部分从该柱体外侧延伸到该柱体内侧以在该垫阶层中形成接触;其中,每一x‑译码装置的多个部分具有一相对应的一x‑译码装置宽度与x‑译码装置长度,每一y‑译码装置的多个部分具有一相对应的一y‑译码装置宽度与y‑译码装置长度;该多个第二多条层间导电线中的一个第二多条层间导电线所在区域的一第一侧与相对的该柱体的一侧之间的距离为第一距离,该柱体的该侧为相反于该多个第二多条层间导电线中的该一个第二多条层间导电线所在区域的该第一侧;该多个第二多条层间导电线中的该一个第二多条层间导电线所在区域的一第二侧与相对的该柱体的一侧之间的距离为第二距离,该柱体的该侧为相反于该多个第二多条层间导电线中的该一个第二多条层间导电线所在区域的该第二侧,该第一距离小于该第二距离,该第一距离大于该x‑译码装置宽度与该y‑译码装置宽度两者,该第二距离大于该x‑译码装置长度与该y‑译码装置长度两者。
地址 中国台湾新竹科学工业园区力行路16号