ITO膜、ITO粉末、ITO粉末的制造方法及ITO膜的制造方法

摘要

本发明提供一种ITO膜及用于制造该ITO膜的ITO粉末、ITO粉末的制造方法及ITO膜的制造方法。所述ITO膜具有4.0eV～4.5eV范围的能隙。

主权项

一种ITO粉末的制造方法，其包括如下工序：将碱性溶液与溶解有3价铟化合物和2价锡化合物的水溶液进行混合，并在pH4.0～9.3、温度10～80℃的条件下进行反应，从而获得铟与锡的共沉淀氢氧化物；对所述共沉淀氢氧化物进行一次或多次通过添加纯净水和去除上清液来进行的水洗，在上清液的电阻率达到5000Ω·cm以上的阶段，去除上清液来获得包含铟锡氢氧化物的浆料；及以所述浆料作为材料，形成表面改性的ITO粉末的表面改性工序，所述表面改性工序包括如下工序：对上述浆料照射紫外线；及在对干燥、烧成浆料所获得的ITO集聚体进行粉碎并拆散而成的ITO粉末中浸渍无水乙醇与蒸馏水的混合液来进行加热处理。