轴向电阻率均匀的硅单晶生长技术

摘要

本发明提供轴向均匀的硅单晶生长方法，通过在硅单晶生长过程中，在熔体中持续定量地加入多晶硅原料，降低掺杂元素因固液分凝系数而导致的熔体中掺杂元素的增加。通过超细粉末的形式加入多晶硅，将多晶硅在加入前加热，并采用激光技术加热熔体上多晶硅加入形成的加入环带。调节石英坩埚与单晶硅的直径比例，调节坩埚旋转和单晶硅的转速，防止多晶硅粉在未熔化前进入结晶凝固区域。本发明方法生长的硅单晶从头部到尾部，掺杂元素均匀性高，晶体全部可用。晶体生长后，石英坩埚中的剩余熔体可直接再加入硅原料，石英坩埚的利用率高，能耗低，综合成本低。

主权项

一种轴向电阻率均匀的硅单晶生长方法，在硅单晶等径生长过程中，在熔体中持续定量地加入多晶硅原料，降低掺杂元素因固液分凝系数而导致的熔体中掺杂元素的增加，使熔体中的掺杂元素浓度保持在设计浓度，从而保持硅单晶中的掺杂元素浓度保持在设计值，其特征在于：多晶硅以超细粉末的形式加入，在加入前将多晶硅加热至1200℃以上，采用激光技术加热熔体上多晶硅加入形成的环带，调节石英坩埚与单晶硅的直径比例、坩埚转速和单晶硅的转速，防止多晶硅粉在未熔化前进入结晶凝固区域。