填充凹部的方法以及处理装置

摘要

本发明提供一种填充凹部的方法以及处理装置。该填充凹部的方法用于填充被处理体的凹部，其中，该被处理体具有半导体基板以及设于该半导体基板上的绝缘膜，凹部贯通绝缘膜而延伸到半导体基板的内部，该方法包括如下工序：沿着划分形成凹部的壁面形成半导体材料的第1薄膜；对第1薄膜进行气相掺杂；通过在容器内对被处理体进行退火，不使气相掺杂后的第1薄膜移动，而沿着半导体基板的划分形成凹部的面由第1薄膜的半导体材料形成与半导体基板的结晶相应的外延区域；沿着划分形成凹部的壁面形成半导体材料的第2薄膜；通过在容器内对被处理体进行退火，由第2薄膜的朝向凹部的底部移动了的半导体材料进一步形成外延区域。

主权项

一种填充凹部的方法，其用于填充被处理体的凹部，其中，该被处理体具有半导体基板以及设于该半导体基板上的绝缘膜，所述凹部贯通所述绝缘膜而延伸到所述半导体基板的内部，该方法包括如下工序：沿着划分形成所述凹部的壁面形成半导体材料的第1薄膜的工序；对所述第1薄膜进行气相掺杂的工序；在容器内对所述被处理体进行退火、从而在使气相掺杂后的所述第1薄膜不移动的状态下、沿着所述半导体基板的划分形成所述凹部的面由所述第1薄膜的半导体材料形成与所述半导体基板的结晶相应的外延区域的工序；沿着划分形成所述凹部的壁面形成半导体材料的第2薄膜的工序；在所述容器内对所述被处理体进行退火、由此由所述第2薄膜的朝向所述凹部的底部移动了的半导体材料进一步形成外延区域的工序。