| 发明名称 | 差动传输线屏蔽结构 | ||
| 摘要 | 本实用新型属于集成电路后端中的屏蔽结构。差动传输线屏蔽结构，包括差动传输线和半导体衬底，其特征在于：所述的差动传输线上设有若干屏蔽单元，所述的屏蔽单元包括上层材料、下层材料、过孔，所述的上层材料设在差动传输线的上方，所述的下层材料设在差动传输线的下方，所述的差动传输线的左右两边设有过孔，所述的上层材料、下层材料和过孔构成闭合回路，所述的半导体衬底接地。本实用新型有益效果在于：能很好的保护差动传输线不受外界线路的电磁干扰，能消除差动传输线的内部电磁干扰，可以通过改变传输线保护单位的密度，调整达到需要的电路性能指标。 | ||
| 申请公布号 | CN205508813U | 申请公布日期 | 2016.08.24 |
| 申请号 | CN201620334232.5 | 申请日期 | 2016.04.20 |
| 申请人 | 佛山臻智微芯科技有限公司 | 发明人 | 陈锦涛;章国豪;朱晓锐;区力翔;余凯;林俊明 |
| 分类号 | H01L23/522(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/522(2006.01)I |
| 代理机构 | 广州市南锋专利事务所有限公司 44228 | 代理人 | 刘媖 |
| 主权项 | 差动传输线屏蔽结构，包括差动传输线和半导体衬底，其特征在于：所述的差动传输线上设有若干屏蔽单元，所述的屏蔽单元包括上层材料、下层材料、过孔，所述的上层材料设在差动传输线的上方，所述的下层材料设在差动传输线的下方，所述的差动传输线的左右两边设有过孔，所述的上层材料、下层材料和过孔构成闭合回路，所述的半导体衬底接地。 | ||
| 地址 | 528225 广东省佛山市南海区狮山镇南海软件科技园内佛高科技智库中心A座科研楼A603室 | ||