| 发明名称 | 半导体器件 | ||
| 摘要 | 半导体器件，包括底板以及耦合到底板的第一和第二绝缘栅双极晶体管（IGBT）基板。该半导体器件包括耦合到底板的第一和第二二极管基板以及耦合到底板的第一、第二和第三控制基板。结合引线将第一和第二IGBT基板耦合到第一控制基板。结合引线经由第一和第二二极管基板将第一和第二IGBT基板耦合到第二控制基板，且结合引线经由第二二极管基板将第一和第二IGBT基板耦合到第三控制基板。 | ||
| 申请公布号 | CN102403294B | 申请公布日期 | 2016.08.24 |
| 申请号 | CN201110265356.4 | 申请日期 | 2011.09.08 |
| 申请人 | 英飞凌科技股份有限公司 | 发明人 | I.本茨勒;W.布雷克尔;R.施潘克 |
| 分类号 | H01L23/49(2006.01)I;H01L25/07(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/49(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 曲宝壮;卢江 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括：底板；耦合到底板的第一和第二绝缘栅双极晶体管IGBT基板；耦合到底板的第一和第二二极管基板；耦合到底板的第一、第二和第三控制基板；将第一和第二IGBT基板耦合到第一控制基板的第一结合引线；经由第一和第二二极管基板将第一和第二IGBT基板直接地和物理地耦合到第二控制基板的第二结合引线；以及经由第二二极管基板将第一和第二IGBT基板直接地和物理地耦合到第三控制基板的第三结合引线。 | ||
| 地址 | 德国瑙伊比贝尔格市坎芘昂1－12号 | ||