一种提高反发射薄膜与钼栅网基底结合力的方法

摘要

一种提高反发射薄膜与钼栅网基底结合力的方法，包括以下步骤：A.将加工好的钼栅网进行真空除气，温度为800±20℃；B.采用离子束辅助沉积法在上述Mo栅网上沉积一层反发射薄膜；C.对所制成的栅网进行退火处理，退火温度为1000～1300℃。本发明利用离子束辅助沉积法在钼栅网基底上沉积反发射薄膜，通过离子束轰击基底表面，提高基底表面粗糙度，从而使得反发射薄膜与钼栅网基底结合力增加，再结合后续高温退火处理，使得反发射薄膜和钼基底间形成合金相，进一步提高了反发射薄膜与钼栅网基底结合力。

主权项

一种提高反发射薄膜与钼栅网基底结合力的方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：A.将加工好的钼栅网进行真空除气，温度为800±20℃；B.采用离子束辅助沉积法在上述Mo栅网上沉积一层反发射薄膜；离子束辅助沉积过程中，Ar⁺离子束能量为800～1000eV，本底真空度优于1×10^‑4Pa，工作气压为0.02～0.1Pa；反发射薄膜厚度为1.0±0.1um；C.对所制成的栅网进行退火处理，退火温度为1000～1300℃，退火时间为0.5～3小时，本底真空优于1×10^‑4Pa。