用于高电压应用的具有含多场弛豫沟槽的终端结构的沟槽MOS器件

摘要

本发明公开了一种用于半导体器件的终端结构，所述终端结构包括具有有源区和终端区的半导体衬底。两个或更多个沟槽单元位于所述终端区中并从所述有源区的边界朝所述半导体衬底的边缘延伸。终端沟槽在所述终端区中所述沟槽单元的远离所述有源区的一侧上形成。导电间隔物位于与所述终端沟槽的最接近所述沟槽单元的侧壁相邻的位置。第一氧化物层在所述终端沟槽中形成并接触所述导电间隔物的侧壁。第一导电层在所述半导体衬底的背表面上形成。第二导电层在所述有源区和所述终端区顶部形成。

主权项

一种用于半导体器件的终端结构，所述终端结构包括：具有有源区和终端区的半导体衬底；位于所述终端区中并从所述有源区的边界朝所述半导体衬底的边缘延伸的多个沟槽单元；在所述终端区中所述多个沟槽单元的远离所述有源区的一侧上形成的终端沟槽；位于与所述终端沟槽的最接近所述多个沟槽单元的侧壁相邻的位置的导电间隔物；在所述终端沟槽中形成并接触所述导电间隔物的侧壁的第一氧化物层；在所述半导体衬底的背表面上形成的第一导电层；以及在所述有源区和所述终端区顶部形成的第二导电层。