发明名称 | 固体摄像装置以及电子设备 | ||
摘要 | 本发明公开了一种固体摄像装置以及电子设备。所述该固体摄像装置包括:光电转换部,其形成在基板上并且包括光电二极管;溢出通道,其形成在半导体区域中,并且连接至所述光电转换部的电荷累积区域;沟槽部,其形成在其中形成有所述溢出通道的所述半导体区域的上部中,并且邻接于所述光电转换部;垂直传输栅极电极,其中所述垂直传输栅极电极包括位于所述沟槽部中的电极材料;以及浮动扩散单元,其形成在所述半导体区域中,并连接至所述溢出通道,并且所述溢出通道形成在邻接于所述垂直传输栅极电极的底部的区域中。根据本发明,在设置有垂直传输晶体管的固体摄像装置中,减小了饱和电荷量的变化,并且提高了产量。 | ||
申请公布号 | CN105895650A | 申请公布日期 | 2016.08.24 |
申请号 | CN201610305920.3 | 申请日期 | 2012.03.15 |
申请人 | 索尼公司 | 发明人 | 中村良助 |
分类号 | H01L27/146(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/146(2006.01)I |
代理机构 | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人 | 李晗;曹正建 |
主权项 | 一种固体摄像装置,所述固体摄像装置包括:光电转换部,所述光电转换部形成在基板上,其中,所述光电转换部包括光电二极管;溢出通道,所述溢出通道形成在半导体区域中,并且连接至所述光电转换部的电荷累积区域;沟槽部,所述沟槽部形成在其中形成有所述溢出通道的所述半导体区域的上部中,并且邻接于所述光电转换部;垂直传输栅极电极,其中所述垂直传输栅极电极包括位于所述沟槽部中的电极材料;以及浮动扩散单元,所述浮动扩散单元形成在所述半导体区域中,其中,所述浮动扩散单元连接至所述溢出通道,并且其中,所述溢出通道形成在邻接于所述垂直传输栅极电极的底部的区域中。 | ||
地址 | 日本东京 |