发明名称 栅缝地同轴馈电电容加载阶跃阻抗的半槽天线
摘要 栅缝地同轴馈电电容加载阶跃阻抗的半槽天线涉及一种缝隙天线,该天线包括介质基板(1)、介质基板(1)上的金属地(2)和辐射槽缝(3)、同轴馈线(4);金属地(2)上有辐射槽缝(3)和多条平行的栅缝(6);辐射槽缝(3)的一端短路,另一端开路;在辐射槽缝(3)靠近开路端部分有数个电容(7)并联跨接在其边缘,形成低阻槽缝(8);辐射槽缝(3)其余部分是高阻槽缝(9),同轴馈线(4)的外导体(5)与金属地(2)相连,同轴馈线(4)末端内导体(12)跨过高阻槽缝(9)在其边缘(11),与金属地(2)连接。该天线是多频带工作,可减少天线尺寸、交叉极化、遮挡和改善隔离。
申请公布号 CN105896060A 申请公布日期 2016.08.24
申请号 CN201610218750.5 申请日期 2016.04.08
申请人 东南大学 发明人 赵洪新;王想;殷晓星
分类号 H01Q1/38(2006.01)I;H01Q1/48(2006.01)I;H01Q1/50(2006.01)I;H01Q5/10(2015.01)I;H01Q5/307(2015.01)I;H01Q5/321(2015.01)I;H01Q13/10(2006.01)I 主分类号 H01Q1/38(2006.01)I
代理机构 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249 代理人 杨晓玲
主权项 一种栅缝地同轴馈电电容加载阶跃阻抗的半槽天线,其特征在于该天线包括介质基板(1)、设置在介质基板(1)上的金属地(2)和辐射槽缝(3)、同轴馈线(4);介质基板(1)的一面是金属地(2),同轴馈线(4)的外导体(5)与金属地(2)相贴连接;金属地(2)上有辐射槽缝(3),辐射槽缝(3)的形状是矩形,辐射槽缝(3)位于金属地(2)的中心;金属地(2)上多条平行栅缝(6)构成的栅缝(6)阵列,栅缝(6)的形状是矩形,栅缝位于辐射槽缝(3)的四周,栅缝(6)与辐射槽缝(3)相互垂直;栅缝(6)的一端短路;栅缝(6)的另一端开路,位于介质基板(1)的边缘;辐射槽缝(3)的一端短路,另一端开路;在辐射槽缝(3)靠近开路端部分,有数个电容(7)并联跨接在辐射槽缝(3)的两个边缘,使得辐射槽缝(3)靠近开路端部分的特性阻抗变低,形成低阻槽缝(8);辐射槽缝(3)的其余部分是高阻槽缝(9),高阻槽缝(9)和低阻槽缝(8)一起构成阶跃阻抗辐射槽缝(3),产生一个频率较低的低频工作频带和一个频率较高的高频工作频带;金属化过孔(7)穿越介质基板(1),一头与金属地(2)相连,另一头在介质基板(1)的另一面;同轴馈线(4)的一端是天线的端口(10),同轴馈线(4)另一端的内导体(12)跨过高阻槽缝(9),在高阻槽缝(9)的边缘(11),与金属地(2)连接。
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