| 发明名称 | 用于减轻半导体器件中的寄生电容的影响的方法和装置 | ||
| 摘要 | 实施例包括半导体器件，其包括：栅极层，该栅极层包括(i)第一区段和(ii)第二区段，其中栅极层是非直线的，以使得栅极层的第一区段相对于栅极层的第二区段被偏移；以及第一接触和第二接触，其中栅极层的第一区段位于(i)距离第一接触为第一距离处以及(ii)距离第二接触为第二距离处，其中第一距离与第二距离不同。 | ||
| 申请公布号 | CN105900242A | 申请公布日期 | 2016.08.24 |
| 申请号 | CN201480072731.5 | 申请日期 | 2014.12.12 |
| 申请人 | 马维尔国际贸易有限公司 | 发明人 | 郑全成;常润滋 |
| 分类号 | H01L29/423(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/423(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人 | 酆迅 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括：栅极层，所述栅极层包括(i)第一区段和(ii)第二区段，其中所述栅极层是非直线的，使得所述栅极层的所述第一区段相对于所述栅极层的所述第二区段偏移；以及第一接触和第二接触，其中所述栅极层的所述第一区段位于(i)距离所述第一接触为第一距离处以及(ii)距离所述第二接触为第二距离处，其中所述第一距离与所述第二距离不同。 | ||
| 地址 | 巴巴多斯圣米加勒 | ||