发明名称 |
一种低温多晶硅TFT阵列基板及其制造方法 |
摘要 |
本发明实施例提供一种低温多晶硅TFT阵列基板及其制造方法,涉及液晶显示器及AMOLED显示器制造领域,减少了构图工艺处理次数,从而简化了制造流程,降低了制造成本。其方法为:在基板上形成缓冲层;在所述缓冲层上形成多晶硅层;在所述多晶硅层上形成第一金属层,利用灰色调掩摸板或半透式掩摸板对所述第一金属层、多晶硅层进行构图工艺处理,通过一次构图工艺得到数据线、源极、漏极和多晶硅半导体部分的图案。本发明实施例用于低温多晶硅TFT阵列基板制造。 |
申请公布号 |
CN102683338B |
申请公布日期 |
2016.08.24 |
申请号 |
CN201110270029.8 |
申请日期 |
2011.09.13 |
申请人 |
京东方科技集团股份有限公司 |
发明人 |
马占洁;龙春平 |
分类号 |
H01L27/02(2006.01)I;H01L21/77(2006.01)I;G02F1/1362(2006.01)I;G02F1/1368(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/02(2006.01)I |
代理机构 |
北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 |
代理人 |
申健 |
主权项 |
一种低温多晶硅TFT阵列基板,其特征在于,包括:基板;形成有多晶硅层;通过一次构图工艺形成有源极、漏极和多晶硅半导体有源层;之后,对所述多晶硅半导体有源层的源、漏极之间的部分进行掺杂处理,使所述源极、漏极与所述多晶硅半导体有源层构成TFT区域;所述源极、漏极上形成有栅绝缘层;所述栅绝缘层上形成有栅极、栅线;所述栅极、栅线上形成有保护层;所述保护层上形成有像素电极层,所述像素电极层通过位于所述保护层、栅绝缘层上的过孔与所述漏极连接。 |
地址 |
100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号 |