在激光处理系统中的周围层气流分布

摘要

本发明公开一种用于使半导体基板退火的方法及设备。设备具有退火能量源及基板支撑件以及遮蔽构件，所述遮蔽构件设置于退火能量源与基板支撑件之间。遮蔽构件为实质平坦构件，所述实质平坦构件具有比在基板支撑件上处理的基板大的尺寸，窗覆盖所述实质平坦构件中的中心开口。中心开口具有气体入口门及气体出口门，所述气体入口门及气体出口门各自分别与气体入口气室及气体出口气室流体连通。连接构件设置于中心开口附近，且所述连接构件将窗固持于中心开口上方。连接构件中的连接开口分别经由气体入口导管及气体出口导管与气体入口气室及气体出口气室流体连通，所述气体入口导管及气体出口导管穿过连接构件形成。

主权项

一种用于热退火设备的遮蔽件，所述遮蔽件包含：平坦构件，所述平坦构件具有：中心开口，所述中心开口穿过所述平坦构件，所述中心开口具有壁，所述壁具有气体入口门及气体出口门，所述气体入口门与形成于所述平坦构件中的气体入口导管和气体入口气室流体连通，而所述气体出口门与形成于所述平坦构件中的气体出口导管和气体出口气室流体连通，其中所述中心开口具有第一端和第二端，所述第一端和所述第二端一起限定垂直于所述平坦构件的轴，并且其中所述气体入口门定位于紧邻所述中心开口的所述第一端，且所述气体出口门与所述中心开口的所述第一端和所述第二端间隔开来。