包括具有裙部区域的栅极结构的半导体器件

摘要

本发明提供了一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：有源鳍，其从衬底向上突出，并且在第一方向上延伸；以及栅极结构，其在以与有源鳍交叉的第二方向上延伸，其中栅极结构的与有源鳍接触的下部的第一宽度大于栅极结构的与有源鳍间隔开的下部的第二宽度。

主权项

一种半导体器件，包括：有源鳍，其从衬底突出，并且在第一方向上延伸；栅极结构，其在与第一方向交叉的第二方向上延伸，所述栅极结构位于所述有源鳍上；以及场绝缘层，其位于所述有源鳍的长边的底部上，所述场绝缘层的顶表面与所述有源鳍的交叉部分限定至少一条线段，其中，所述栅极结构包括裙部，其在第一方向上向外延伸以覆盖所述至少一条线段的一部分同时暴露出所述至少一条线段的另一部分。